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晶体管
SD2931-10W参考图片

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SD2931-10W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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库存:4,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥544.3323
544.3323
5
¥534.3431
2671.7155
10
¥520.5119
5205.119
25
¥510.2967
12757.4175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
230 MHz
系列
SD2931-10
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
10 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥3.2205
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0058
参考库存:42306
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1:¥29.9676
10:¥25.4363
100:¥22.0576
250:¥20.905
参考库存:12186
晶体管
MOSFET DISCRETES
400:¥54.5564
800:¥49.72
1,200:¥43.2564
参考库存:42313
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥293.7548
250:¥268.4767
参考库存:42318
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
4,000:¥4.0906
参考库存:42323
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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