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晶体管
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IGB30N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
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数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
1,000
¥10.8367
10836.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60H3ATMA1 IGB3N6H3XT SP000852240
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL24NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.200 Ohm 16 A HV Mdmesh II
1:¥34.0356
10:¥28.9732
100:¥25.0521
250:¥23.8204
3,000:¥17.1308
参考库存:1991
ALD910016SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:51230
STP11N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:6498
ALD310504PAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
50:¥18.5998
100:¥17.4472
250:¥15.7522
500:¥14.1363
参考库存:51237
CGHV35150F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
暂无价格
参考库存:51242

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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