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晶体管
SIHB100N60E-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHB100N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
  • 数据手册下载
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库存:6,987(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥32.431
324.31
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.8996
6474.9
500
¥23.2102
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:44460
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -40V 400mW 750mW -0.4Vgs
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:44465
晶体管
IGBT 模块
156:¥65.9242
312:¥62.6246
624:¥58.6244
1,092:¥53.788
参考库存:44470
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:44475
晶体管
MOSFET 60V 119A 175W AEC-Q101 Qualified
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
250:¥17.063
500:¥15.2889
参考库存:44480
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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