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晶体管
IPA093N06N3 G参考图片

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IPA093N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:10,726(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.8365
68.365
100
¥5.2432
524.32
500
¥4.6443
2322.15
1,000
¥3.6612
3661.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
51 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPA093N06N3GXKSA1 IPA93N6N3GXK SP000451088
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:92410
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:11477
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥15.0629
10:¥12.5204
100:¥9.6841
500:¥8.5315
1,000:¥7.0286
参考库存:12009
晶体管
MOSFET P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:51301
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V
1:¥5.8421
10:¥4.8477
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.1131
参考库存:26043
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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