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晶体管
BSZ065N03LS参考图片

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BSZ065N03LS

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库存:36,311(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
5,000
¥2.0792
10396
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
零件号别名
BSZ065N03LSATMA1 BSZ65N3LSXT SP000799084
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:8566
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:51750
晶体管
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
1:¥4.5313
10:¥3.7403
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6272
参考库存:51755
晶体管
MOSFET PMOSFET
1:¥60.5454
10:¥54.4773
25:¥49.6409
50:¥46.0249
参考库存:51760
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.54579
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
参考库存:51765
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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