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产品分类

晶体管
IPB65R110CFDAATMA1参考图片

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IPB65R110CFDAATMA1

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库存:8,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥43.1095
431.095
25
¥41.1094
1027.735
100
¥35.6515
3565.15
1,000
¥27.0522
27052.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.2 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPB65R110CFDA IPB65R11CFDAXT SP000896402
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 9A 2.5W
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:13387
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:13784
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1700V
1:¥1,219.6768
5:¥1,190.3307
10:¥1,160.7473
25:¥1,144.5318
参考库存:2096
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
4,000:¥4.1923
8,000:查看
参考库存:5268
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:16560
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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