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晶体管
DMG302PU-7参考图片

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DMG302PU-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC
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库存:27,048(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.86106
2583.18
9,000
¥0.80682
7261.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
170 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
0.35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMG302
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.1 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:196950
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥189.3315
5:¥179.8847
10:¥175.1952
25:¥160.9798
参考库存:4752
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 40A 1200V Welding
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:4349
晶体管
IGBT 模块 900V 300A IGBT MODULE
1:¥1,624.6236
5:¥1,585.5143
10:¥1,546.179
25:¥1,524.5056
参考库存:4391
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45 V 800 mA
1:¥1.8419
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
参考库存:161908
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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