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晶体管
FDG6308P参考图片

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FDG6308P

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库存:13,568(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5482
35.482
100
¥2.1583
215.83
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6308P
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.1 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
FDG6308P_NL
单位重量
28 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT
1:¥42.3411
10:¥36.0357
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:9456
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 8A 100V
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.3052
参考库存:21058
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL SINGLE
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
1,500:¥2.0001
参考库存:25965
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4372
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥29.5043
10:¥24.4306
100:¥20.1366
250:¥19.5151
500:¥17.515
参考库存:8584
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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