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射频晶体管

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	19 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.62 GHz to 2.69 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	500
子类别	Transistors
零件号别名	1130771

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAX2602ESA+	Maxim Integrated	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap	1:¥35.1882 25:¥27.5042 50:¥23.8204 250:¥23.278 1,000:¥21.2101	参考库存:4636
AGR21060EF	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB	10:¥726.138 30:¥643.1508 50:¥580.9104 100:¥560.1636	参考库存:37647
BLW86	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥599.352 10:¥499.46 25:¥449.514 50:¥399.568	参考库存:3538
BLW77	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥737.664 10:¥614.72 25:¥553.248 50:¥491.776	参考库存:37654
BFP 540FESD H6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.3844 10:¥3.6386 100:¥2.2261 1,000:¥1.7176 3,000:¥1.4577	参考库存:21455