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晶体管
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MJE2955TTU

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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.6104
46.104
100
¥2.9719
297.19
1,000
¥2.3843
2384.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 1.1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
2 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE2955T
直流电流增益 hFE 最大值
100
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
封装
Tube
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
MJE2955TTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUJ103AX,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:48391
IMX18T208
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:48396
DDTD113EC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K1K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:48401
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
暂无价格
参考库存:48406
TK6P65W,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:48411

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    50万现货SKU

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