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晶体管
DNLS412E-13参考图片

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DNLS412E-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.8419
4604.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DNLS412
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 100 mA, 2 V
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
500
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C442NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥3.2205
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0058
参考库存:42306
STF8NK100Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1:¥29.9676
10:¥25.4363
100:¥22.0576
250:¥20.905
参考库存:12186
AUIRGF65A40D0
Infineon / IR
晶体管
MOSFET DISCRETES
400:¥54.5564
800:¥49.72
1,200:¥43.2564
参考库存:42313
2N1700
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥293.7548
250:¥268.4767
参考库存:42318
ZTX955
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
4,000:¥4.0906
参考库存:42323

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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