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射频晶体管
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ARF463AP1G

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥277.0082
277.0082
5
¥264.5556
1322.778
10
¥256.2614
2562.614
25
¥235.5146
5887.865
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
2 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4.2 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2021UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
100:¥179.5005
参考库存:37587
QPD2796
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
250:¥648.6878
参考库存:37592
MMRF1320GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320GN/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
500:¥214.7678
参考库存:37597
MRF557
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:4443
CGH27060F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:3715

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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