2SC5087-O(TE85L,F)原装正品_库存数量_PDF手册

射频晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：15,700(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	2SC5087
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
发射极 - 基极电压 VEBO	3 V
集电极连续电流	80 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMQ-4
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	20 V
直流电流增益 hFE 最大值	240
工作频率	7 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	150 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFP 520 H6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.4578 10:¥2.6668 100:¥1.4464 1,000:¥1.08367 3,000:¥0.9379 9,000:¥0.87575	参考库存:13422
2735GN-35M	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor	5:¥1,996.0772 10:¥1,967.7933 25:¥1,940.8202 50:¥1,807.8192	参考库存:39513
TPR1000	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor	1:¥4,394.5587 5:¥4,118.7031	参考库存:39518
BFR 360F H6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.0792 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 3,000:¥0.63054	参考库存:83874
D2219UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE	1:¥183.5685 10:¥162.1324 25:¥147.0695 50:¥130.9331	参考库存:39525